測(cè)試數(shù)據(jù)表明，經(jīng)BAVP處理的電池不僅獲得了25.2%的優(yōu)秀效率，其穩(wěn)定性同樣優(yōu)異——未封裝器件在85°C下經(jīng)歷2616小時(shí)以及500次-5至55°C溫度循環(huán)后，效率保持率分別高達(dá)99.4%與97.5%，顯著展現(xiàn)了該策略在提升電池綜合性能方面的應(yīng)用前景。

(a) 雙分子胺蒸汽鈍化（BAVP）過(guò)程的示意圖，展示了2-（PEA）和（EDA）如何與鈣鈦礦薄膜相互作用。

(b) PEA吸附在PbI2終止的鈣鈦礦表面的示意圖。

(c) EDA吸附在PbI2終止的鈣鈦礦表面的示意圖。

(d) PEA與FA+反應(yīng)的吉布斯自由能曲線。

(e) EDA與FA+反應(yīng)的吉布斯自由能曲線。

(a) X射線光電子能譜（XPS）分析，展示了PEA、EDA和BAVP處理的鈣鈦礦薄膜中Pb 4f的結(jié)合能變化。

(b) 溶液鈍化和(c) BAVP處理的鈣鈦礦薄膜的Kelvin探針力顯微鏡（KPFM）圖像。

(d) 控制組、(e) BAVP處理和(f) 溶液鈍化處理的鈣鈦礦薄膜的深度分辨掠入射X射線衍射（GIXRD）光譜。

(a) 鈣鈦礦薄膜在不同胺處理下的能級(jí)對(duì)齊圖。

(b) 鈣鈦礦薄膜在不同處理下鈣鈦礦導(dǎo)帶底和費(fèi)米能級(jí)的差。

(c) 穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光（PL）光譜。

(d) 時(shí)間分辨光致發(fā)光（TRPL）衰減曲線。

(e) PL量子產(chǎn)率（PLQY）值。

(f-h) 不同鈍化方法處理的鈣鈦礦薄膜的PL強(qiáng)度分布圖。

(a) 本研究中使用的倒置鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的器件結(jié)構(gòu)。

(b) 未處理和不同胺處理的小面積器件的J-V曲線。

(c) 溶液基和蒸汽基鈍化方法處理的器件的J-V曲線。

(d) 通過(guò)刮涂法制備的倒置鈣鈦礦太陽(yáng)能電池和模塊的代表性光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）。

(e) 不同鈍化方法處理的小面積器件的外部量子效率（EQE）光譜。

(f) 不同鈍化方法處理的鈣鈦礦太陽(yáng)能模塊的J-V曲線和圖像。(g) 未處理和不同胺處理的器件的電化學(xué)阻抗譜（EIS）。

(h) 未處理和不同胺處理的器件的瞬態(tài)光電流（TPC）。

(i) 未處理和不同胺處理的電子-only器件的空間電荷限制電流（SCLC）特性。